氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表的第三代半导体材料。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面性能优越,在新能源汽车、5G通信、数据中心、光伏等领域领头企业逐步使用。
与Si硅基MOSFET、IGBT相比,SiC MOSFET在开关效率、损耗、尺寸、频率、体积等指标上优势明显。相同规格的MOSFET,SiC
MOSFET具有更低导通电阻,且体积减少10%。相同规格SiC MOSFET和Si
IGBT相比,其能量损失能减少25%,功率转换效率更高。根据全球顶尖SiC衬底企业试验数据显示,采用SiC MOSFET的电动汽车续航距离比Si
IGBT延长了5-10%。然而,因SiC衬底长晶速度和良率问题,导致衬底制备成本偏高,但随着良率提升以及SiC晶圆由6寸向8寸发展,加速成本降低,其价格甜蜜点已可以被预见,有望实现更多市场渗透。半导体最主要材料硅Si,占有约95%的市场。预计明年,SiC市场渗透率可达到3.75%,GaN市场渗透率可达到1.0%,第三代半导体市场渗透率总计约4.75%。去年全球SiC功率半导体市场规模约10.90亿美元(约77.56亿人民币),据相关统计分析报告,预计5年内可增至62.97亿美元(约448.08亿人民币)。其中汽车应用将成为SiC主要应用市场,约占整个SiC功率器件75%市场份额。尽管去年全球电动车市场因“缺芯”导致原材料涨价严重,但全球新能源车销量依旧同比增加108%,销量达到
681 万辆,国内新能源车销量同比增长
157.6%,达352万辆。随着我国双碳政策和补贴政策推进,我国今年新能源车销量有望达560万辆。预计今年全球新能源车销量有望达 1069
万辆,这一数字在2025年预计有望达2625万辆。新能源车、智能汽车兴起为车用功率半导体提供了增量市场。同时充电桩作为新能源汽车的配套设施。2020年中美欧新能源汽车充电需求约为
180亿千瓦时,预计到2030年新能源汽车充电需求将高达2710亿千瓦时。2020年中美欧充电桩数量约为300万个,预计到2030年增长至4000万个。目前充电桩平均成本约3200美元,功率半导体约占充电桩成本20%。积极响应国家发展改革委、工业和信息化部、财政部、海关总署、国家税务总局五部门联合发文要求关于做好享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作的通知。通过促进提升创新能力,推动半导体制造国产化,推进半导体产业高质量发展。2022深圳国际半导体技术暨应用展将于2022年12月7-9日,在深圳国际会展中心(宝安新馆)举行。由中国通信工业协会、深圳市半导体行业协会、广东省集成电路行业协会、广州市半导体行业协会、江苏省半导体行业协会、浙江省半导体行业协会、成都市集成电路行业协会、深圳市中新材会展有限公司联合主办。
(上届深圳半导体展现场图)
展示芯片设计、衬底、外延、封装、测试、器件/模块、材料以及生产设备等全产业链上下游。覆盖新能源应用、数据中心、5G新应用、AIoT、新型显示Mini/Micro、消费类电子等热点应用领域。融合产品实物展示、实操演示,学术峰会交流,供需匹配,产业商机即时透传等多维度交流手段。致力于打造产、学、研、投、为一体半导体专业交流平台。深圳半导体展展览面积50000+平米,同期举办同集团旗下由香港线路板协会主办的2022国际电子电路(深圳)展览会展览面积80000+平米;产业上下游联动,协同效应最大化,合计展出面积超13万平米。汇聚上海微电子装备集团、中芯国际、ON安森美、NXP恩智浦、ST意法半导体、山东天岳、能华半导体、镓未来、氮矽科技、基本半导体、英嘉通半导体、英诺赛科、聚能创芯
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